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AO3460	文件：109.42 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3460/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V,inthesmallSOT-23footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlo	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AO3460	文件：1.00389 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •1200VESDProtection •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •Low	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO3460-HF	文件：1.93347 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=0.65A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3460_10	文件：168.92 Kbytes Page：4 Pages	60V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3460-3	文件：1.66899 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3460-HF-3	文件：1.96583 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
AO3460
功能描述：
MOSFET N-CH 60V .65A SOT23-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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