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AO3422	文件：134 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3422 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It offers operation over a wide gate drive range from 2.5V to 12V. This device is suitable for use as a load switch. Standard product AO3422 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 speci 文件：134 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3422	文件：994.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 55V ● ID = 2.1 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：994.01 Kbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3422	文件：1.03428 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Battery Switch • DC/DC Converter 文件：1.03428 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3422	文件：758.36 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3422 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It offers operation over a wide gate drive range from 2.5V to 12V. This device is suitable for use as a load switch. Standard product AO3422 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 speci 文件：758.36 Kbytes 页数：4 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AO3422	文件：182.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：182.92 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3422	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Channel MOSFET 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 4.5A	XBLW 芯伯乐	XBLW
AO3422	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO3422	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V/3A N Channel Advanced Power MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO3422A	文件：288.03 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel 60-V(D-S) MOSFET FEATURE ※ TrenchFET Power MOSFET 文件：288.03 Kbytes 页数：3 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3422A	文件：430.31 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel 60-V(D-S) MOSFET FEATURE ※ TrenchFET Power MOSFET APPLICATION ※ Load Switch for Portable Devices ※ DC/DC Converter 文件：430.31 Kbytes 页数：3 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
55
VGS (±V)：
12
4.5V：
160
2.5V：
200
ID @ 25°C (A)：
2.10
PD @ 25°C (W)：
1.25
Qg (4.5V)(nC)：
2.60
VGS(th) max (V)：
2
Ciss (pF)：
214
Coss (pF)：
31
Crss (pF)：
12.60
Qgd (nC)：
0.80
tD(on) (ns)：
2.30
tD(off) (ns)：
16.50
Trr (ns)：
20
Qrr (nC)：
17
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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