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AO3422	文件：994.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=55V ●ID=2.1A(VGS=4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3422	文件：758.36 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3422usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Itoffersoperationoverawidegatedriverangefrom2.5Vto12V.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch.StandardproductAO3422isPb-free(meetsROHS&Sony259speci	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3422	文件：1.03428 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO3422	文件：134 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3422usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Itoffersoperationoverawidegatedriverangefrom2.5Vto12V.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch.StandardproductAO3422isPb-free(meetsROHS&Sony259speci	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3422	文件：182.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3422A	文件：288.03 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel 60-V(D-S) MOSFET FEATURE ※TrenchFETPowerMOSFET	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO3422A	文件：430.31 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel 60-V(D-S) MOSFET FEATURE ※TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION ※LoadSwitchforPortableDevices ※DC/DCConverter	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO3422-HF	文件：1.42463 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=55V ●ID=2.1A(VGS=4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3422L	文件：134 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3422usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Itoffersoperationoverawidegatedriverangefrom2.5Vto12V.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitch.StandardproductAO3422isPb-free(meetsROHS&Sony259speci	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3422_10	文件：182.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO3422
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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