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IRG4BC20UD	文件：236.9 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC20UDPBF	文件：376.69 Kbytes Page：10 Pages	ULTRAFASTCOPACKIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDPBF	文件：351.65 Kbytes Page：11 Pages	UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRED®ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDS	文件：235.04 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC20UD-S	文件：235.04 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UD-SPBF	文件：301.01 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterpara- meterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC20UDSRP	文件：256.209 Kbytes Page：13 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRG4BC20KD-STRR
功能描述：
IGBT UFAST 600V 16A RIGHT D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列：
-
标准包装：
30
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
1200V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
3V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
输入类型：
标准
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商设备封装：
PLUS247?-3
包装：
管件

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