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IRG4BC20UD-S中文资料PDF规格书
IRG4BC20UD-S规格书详情
Features
• UltraFast: Optimized for high operating frequencies
8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant
mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter
distribution and higher efficiency than
Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard D2Pak package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies
available
• Optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBTs . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
• Designed to be a drop-in replacement for
equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 型号：
IRG4BC20UD-S
- 功能描述：
IGBT W/DIODE 600V 13A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列：
-
- 标准包装：
30
- 系列：
GenX3™ IGBT
- 类型：
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）：
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）：
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）：
200A 功率 -
- 最大：
830W
- 输入类型：
标准
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商设备封装：
PLUS247?-3
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-263 |
30490 |
原装现货库存 |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
3356 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
D2-PAK |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
询价 | ||
IR |
07+/08+ |
TO-263 |
490 |
询价 | |||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
8900 |
英瑞芯只做原装正品!!! |
询价 | ||
IR |
2021+ |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D2-PAK |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
D2PAK |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3020 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 |
