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IRG4BC20W	文件：130.259 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de 文件：130.259 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：209.42 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c 文件：209.42 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20WS	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de 文件：152.24 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20W-S	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de 文件：152.24 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20W-SPBF	文件：212.93 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c 文件：212.93 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：284.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20WPBF_15	文件：284.16 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：284.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20W-SPBF	文件：268.51 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：268.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20W-SPBF_15	文件：268.51 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：268.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20W	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC20W
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，6.5A
开关能量：
60µJ（开），80µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/110ns
测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 13A 60W TO220AB

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