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IRG4BC20F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20F	文件：161.56 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20FD	文件：222.29 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC20FDPBF	文件：318.04 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20FDPBF	文件：319.01 Kbytes Page：11 Pages	OPTIMIZEDFORMEDIUMOPERATING	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20FD-S	文件：222.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20FD-SPBF	文件：298.44 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEFastCoPackIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20FD-STRL	文件：222.11 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20FPBF	文件：204.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benef	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRG4BC20UD-STRL
功能描述：
DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列：
-
标准包装：
30
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
1200V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
3V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
输入类型：
标准
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商设备封装：
PLUS247?-3
包装：
管件

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