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IRG4BC20UDS	文件：235.04 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGenera	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDSRP	文件：256.209 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDSTRRP	文件：256.209 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UPBF	文件：357.9 Kbytes Page：8 Pages	ULTRAFASTSPEEDIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UPBF	文件：314.89 Kbytes Page：9 Pages	UltraFastSpeedIGBT Features •UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Generati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20W	文件：130.259 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20WPBF	文件：209.42 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC20WS	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20W-S	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRG4BC20UDS
功能描述：
IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列：
-
标准包装：
30
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
1200V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
3V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
输入类型：
标准
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商设备封装：
PLUS247?-3
包装：
管件

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