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IRG4BC20UD-S	文件：235.04 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Genera 文件：235.04 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20UD-S	文件：256.209 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra- 文件：256.209 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20UD-SPBF	文件：301.01 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter para- meter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, 文件：301.01 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20UD-SPBF	文件：365.7 Kbytes Page：11 Pages	ULTRA FAST COPACK IGBT 文件：365.7 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20UD-SPBF_15	文件：365.7 Kbytes Page：11 Pages	ULTRA FAST COPACK IGBT 文件：365.7 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4BC20UD-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
6.5A
IC(@25°) max：
13.0A
ICpuls max：
52.0A
Ptot max：
60.0W
VCE(sat) ：
1.85V
Eon ：
0.16mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.13mJ
td(on) ：
39.0ns
tr ：
15.0ns
td(off) ：
93.0ns
tf ：
110.0ns
QGate ：
27.0nC
IF max：
52.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
65.0nC
Irrm ：
3.5A
Ets (max)：
0.29mJ (0.3mJ)
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

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