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STL200N45LF7	文件：892.51 Kbytes Page：14 Pages	丝印：200N45F7；Package：PowerFLAT；N-channel 45 V, 1.4 mΩ typ., 120 A STripFET ™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package Features  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Applications  Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench 文件：892.51 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL24N60M2	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	ST 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ST
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更多STL200N45LF7供应商更新时间2025-12-23 15:03:00