STDRIVE102BH evaluation board for three-phase brushless motors

Features • Operating voltage from 6 V to 50 V • Output current up to 12 Arms: power stage based on STL220N6F7 60 V, 1.2 mΩ N-channel power MOSFETs • Three-shunt configuration • STDRIVE102BH triple half-bridge gate driver: – Programmable gate current (up to 1 A source / 2 A sink) – Charge pu

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意法半导体

High avalanche ruggedness

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意法半导体

Compact reference design for low voltage brushless power tools based on STSPIN32F0B

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意法半导体

N沟道60 V、0.0012 Ohm典型值、260 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

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