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STL22N60DM6	文件：347.36 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 600 V, 220 m typ., 13 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Features •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL22N60DM6	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerVDFN；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF22N60DM6	文件：266.65 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,200mtyp.,15A,MDmeshDM6PowerMOSFETinaTO‑220FPpackage Features •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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N-channel 600 V, 220 m typ., 13 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Features •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM

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STL22N60DM6

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Package：8-PowerVDFN；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV

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产品属性

产品编号：
STL22N60DM6
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
MDmesh™ M6
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
15A
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳：
8-PowerVDFN
描述：
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STL22N60DM6供应商更新时间2025-5-22 11:16:00

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