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STL3N10F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 2x2封装该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。 • N-沟道增强模式 \n• 低栅极电荷 \n• 100 ％额定雪崩;	ST 意法半导体	ST
STL3N10F7	文件：889.24 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode 文件：889.24 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DFN5X6	STM 信盛上传：深圳市远进半导体有限公司	STM

技术参数

Package：
PowerFLAT 2x2
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
100
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.07
Drain Current (Dc)_max(A)：
4
PTOT_max(W)：
2.4
Qg_typ(nC)：
7.8

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