STL3N10F7中文资料N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 2x2封装数据手册ST规格书
STL3N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• N-沟道增强模式
• 低栅极电荷
• 100 ％额定雪崩
技术参数
- 制造商编号
：STL3N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 2x2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.07
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4
- PTOT_max(W)
：2.4
- Qg_typ(nC)
：7.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
6155 |
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ST/意法 |
14+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
3000 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
12700 |
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询价 | ||
STM |
22+ |
SMD |
30000 |
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ST/意法 |
2517+ |
QFN |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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23+ |
NA |
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ST |
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原厂封装 |
50000 |
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STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(2x2) |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
8860 |
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