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STL33N60DM6规格书详情
描述 Description
该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢复二极管特性系列的一个产品。与前一代MDmesh技术相比，DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及出色的导通电阻 (RDS(on))， 与行业里最高效的开关特性相结合，非常适合用于效率要求苛刻的桥式拓扑和ZVS（零电压开关）移相转换器。
特性 Features
• 快速恢复体二极管
• 与上一代相比，具有更低的面积值
• 低栅极电荷、输入电容和电阻
• 经过100％雪崩测试
• 极高的dv / dt耐用性
• 稳压保护
• 强爬电距离封装
技术参数
- 制造商编号
：STL33N60DM6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.14
- Drain Current (Dc)_max(A)
：21
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：35
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：115
- Qrr_typ(nC)
：520
- Peak Reverse Current_nom(A)
：9
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8 |
12700 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8 |
6000 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(8x8) HV |
3000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
PDFN8*8 |
15800 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
PowerFLAT8x8HV |
16900 |
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询价 |
