首页>STL260N4LF7>规格书详情
STL260N4LF7数据手册ST中文资料规格书
STL260N4LF7规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STL260N4LF7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- Technology
：STripFET F7
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0015
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0011
- Drain Current (Dc)_max(A)
：290
- PTOT_max(W)
：4.8
- Qg_typ(nC)
：60
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3300 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT5x6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
DFN5*6 |
32360 |
ST/意法全新特价STL260N4LF7即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
19+ |
PowerFlat8x8 |
154 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
23+ |
Power |
20000 |
询价 | |||
ST |
25+ |
Power FLAT MLPD 8x8 |
12000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
DFN5*6 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(8x8) HV |
66000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 |
