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STL260N3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL260N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.002
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0013
- Drain Current (Dc)_max(A)
：260
- PTOT_max(W)
：136
- Qg_typ(nC)
：61.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
8PowerSMD Flat Leads |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
21+ |
DFN56 |
10000 |
原装,品质保证,请来电咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DFN5X6 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
8-PQFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
ST/意法 |
新年份 |
DFN5*6 |
18433 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN5X6 |
3247 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DFN5X6 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
21+ |
DFN56 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 |
