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STL260N3LLH6

Very low gate charge

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingtheSTripFET™H6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inallpackages. Features •Verylowon-resistanceRDS(on) •Verylowgatecharge •Highavalancheruggednes

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更多STL260N3LLH6供应商 更新时间2025-5-6 15:00:00