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STL260N3LLH6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STL260N3LLH6

功能描述

Very low gate charge

文件大小

947.74 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 23:01:00

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STL260N3LLH6规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Very low on-resistance RDS(on)

• Very low gate charge

• High avalanche ruggedness

Applications

• Switching applications

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