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STL260N3LLH6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STL260N3LLH6
厂商型号

STL260N3LLH6

功能描述

Very low gate charge

文件大小

947.74 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-1 20:07:00

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STL260N3LLH6规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Very low on-resistance RDS(on)

• Very low gate charge

• High avalanche ruggedness

Applications

• Switching applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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