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STL30N10F7中文资料N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、8 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STL30N10F7

功能描述

N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、8 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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STL30N10F7规格书详情

描述 Description

该器件是采用第七代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。

特性 Features

• 超低导通电阻
• 经过100%雪崩测试

技术参数

  • 制造商编号

    :STL30N10F7

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :PowerFLAT 5x6

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.035

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :8

  • PTOT_max(W)

    :4.8

  • Qg_typ(nC)

    :14

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