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STL30N10F7规格书详情
描述 Description
该器件是采用第七代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 经过100％雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：STL30N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.035
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：4.8
- Qg_typ(nC)
：14
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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