首页>STL30N10F7>规格书详情
STL30N10F7中文资料N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、8 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
STL30N10F7规格书详情
描述 Description
该器件是采用第七代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 经过100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
:STL30N10F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:PowerFLAT 5x6
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.035
- Drain Current (Dc)_max(A)
:8
- PTOT_max(W)
:4.8
- Qg_typ(nC)
:14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(5x6) |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
STM |
16+ |
QFN |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
24+ |
Power |
16500 |
只做原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST |
24+ |
Power |
25836 |
新到现货,只做全新原装正品 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
19587 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
询价 | ||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
30000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
询价 |


