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STL285N4F7AG中文资料汽车级N沟道40 V、1.05 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
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描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL285N4F7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0011
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：188
- Qg_typ(nC)
：67
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83269049邹小姐 |
询价 | ||
ST |
23+ |
8PowerVDFN |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-PowerVDFN |
8298 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST(意法) |
25+ |
8-PowerVDFN |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
