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STL285N4F7AG中文资料汽车级N沟道40 V、1.05 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
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描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL285N4F7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0011
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：188
- Qg_typ(nC)
：67
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-PowerVDFN |
8298 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
STMICROELECT |
24+ |
VDFN-8 |
8985 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 |
