首页>STL33N60DM2>规格书详情
STL33N60DM2中文资料N沟道600 V、0.115 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装数据手册ST规格书
STL33N60DM2规格书详情
描述 Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STL33N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.14
- Drain Current (Dc)_max(A)
：21
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：43
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：120
- Qrr_typ(nC)
：530
- Peak Reverse Current_nom(A)
：8.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
POWERFLAT8X8 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2447 |
SMD |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST(意法) |
25+ |
SMD |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST |
25+23+ |
QFN |
32965 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
