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STL260N4F7中文资料N沟道40 V、1.05 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
STL260N4F7规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STL260N4F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0011
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：188
- Qg_typ(nC)
：67
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
原厂原封 |
16900 |
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ST/意法 |
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DFN5X6 |
12500 |
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ST原装价优 |
24+ |
DFN-8 |
81000 |
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ST |
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原厂原封 |
16900 |
原装，请咨询 |
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ST/意法 |
24+ |
CutTape |
1000 |
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ST/意法 |
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DFN-8 |
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ST/意法 |
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CutTape |
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24+ |
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ST |
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DFN-8 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
QFN |
9908 |
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