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STL30P3LLH6中文资料P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 5x6封装数据手册ST规格书
STL30P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL30P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.05
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.03
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-30
- PTOT_max(W)
：4
- Qg_typ(nC)
：26
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
17485 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT5x6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN5*6 |
505071 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
20+ |
DFN56 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
