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STL30P3LLH6

P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,PowerFLAT(TM) 5x6封装

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;

ST

意法半导体

STL30P3LLH6

High avalanche ruggedness

文件:1.0696 Mbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL50DN6F7

STM
DFN5X6

STL50DN6F7

ST
DFN5X6

ST

STL50DN6F7

STM
DFN5X6

技术参数

  • Package:

    PowerFLAT 5x6

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    -30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω):

    0.05

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.03

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    -30

  • PTOT_max(W):

    4

  • Qg_typ(nC):

    26

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更多STL30P3LLH6供应商 更新时间2025-10-6 8:34:00