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STL38DN6F7AG中文资料汽车级双路N沟道60 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双岛封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STL38DN6F7AG

功能描述

汽车级双路N沟道60 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双岛封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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STL38DN6F7AG规格书详情

描述 Description

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

特性 Features

• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness

技术参数

  • 制造商编号

    :STL38DN6F7AG

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :PowerFLAT 5x6 double island WF

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.027

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :10

  • PTOT_max(W)

    :58

  • Qg_typ(nC)

    :8

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