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STL22N60DM6分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
STL22N60DM6 |
参数属性 | STL22N60DM6 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV |
功能描述 | N-channel 600 V, 220 m typ., 13 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package |
封装外壳 | 8-PowerVDFN |
文件大小 |
347.36 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 23:22:00 |
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STL22N60DM6规格书详情
STL22N60DM6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STL22N60DM6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100 avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fastrecovery
diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation,
DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent
improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors
available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and
ZVS phase-shift converters.
Applications
• Switching applications
产品属性
更多- 产品编号:
STL22N60DM6
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
MDmesh™ M6
- 包装:
管件
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
15A
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
PowerFlat™(8x8)HV
- 封装/外壳:
8-PowerVDFN
- 描述:
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
8860 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
PowerFLAT5x6HV |
16900 |
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ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
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ST/意法 |
24+ |
QFN |
15468 |
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ST/意法半导体 |
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10280 |
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STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
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ST/意法半导体 |
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