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STL45N10F7AG	文件：942.08 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mΩ typ., 18 A, STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package Features AEC-Q101qualified AmongthelowestRDS(on)onthemarket ExcellentFoM(figureofmerit) LowCrss/CissratioforEMIimmunity Highavalancheruggedness Wettableflankpackage AEC-Q101qualified AmongthelowestRDS(on)onthemarket ExcellentFoM(figureofm	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL45N10F7AG	文件：1.90953 Mbytes Page：6 Pages	Marking：APG40N10NF；Package：DFN5X6-8L；N-ChannelEnhancement Mode Field Effect Transistor Features LowRDS(on)&FOM Extremelylowswitchingloss ExcellentstabilityanduniformityorInvertors Applications Consumerelectronicpowersupply Motorcontrol Synchronous-rectification IsolatedDC Synchronous-rectificationapplication	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
STD45N10F7	文件：324.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD45N10F7	文件：1.64749 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STD45N10F7	文件：1.17964 Mbytes Page：19 Pages	N-channel100V,0.0145typ.,45A,STripFETVIIDeepGATEPowerMOSFETsinDPAK,I2PAKandTO-220packages Description TheseN-channelPowerMOSFETsutilizeSTripFET™F7technologywithanenhancedtrenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternalcapacitanceandgatechargeforfasterandmoreefficientswitching. Features •AmongthelowestRDS(on)on	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF45N10F7	文件：820.94 Kbytes Page：13 Pages	Ultralowon-resistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF45N10F7	文件：310.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI45N10F7	文件：358.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI45N10F7	文件：1.17964 Mbytes Page：19 Pages	N-channel100V,0.0145typ.,45A,STripFETVIIDeepGATEPowerMOSFETsinDPAK,I2PAKandTO-220packages Description TheseN-channelPowerMOSFETsutilizeSTripFET™F7technologywithanenhancedtrenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternalcapacitanceandgatechargeforfasterandmoreefficientswitching. Features •AmongthelowestRDS(on)on	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP45N10F7	文件：969.01 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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