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STL20DN10F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel 100 V, 0.065 Ohm typ., 5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。\n • N-沟道增强模式\n• 与上一代相比，具有更低的面积值• 100 ％额定雪崩;	ST 意法半导体	ST
STL20DN10F7	文件：900.01 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode 文件：900.01 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL24N60M2	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST QFN	ST 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ST
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DFN5X6	STM 信盛上传：深圳市金芯世纪电子有限公司	STM
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST DFN5X6	ST 上传：深圳诚思涵科技有限公司	ST

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	STL20DN10F7	ST/意法	23+	DFN5X6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市鑫炜纳电子有限公司	STL20DN10F7	ST/意法半导体	2022+	PowerFLAT-5x6-8	6900	原厂原装,假一罚十	询价
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更多STL20DN10F7供应商更新时间2025-10-6 14:14:00