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STL20N6F7	文件：1.27483 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AP65N06DF；Package：DFN3X3-8L；60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.27483 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
STL20N6F7	文件：409.65 Kbytes Page：13 Pages	High avalanche ruggedness 文件：409.65 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL20N6F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道60 V、0.0046 Ohm典型值、20 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的 RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
STL24N60M2	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	ST 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ST
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN5X6	STM 信盛精工上传：深圳市金芯世纪电子有限公司	STM

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更多STL20N6F7供应商更新时间2025-12-12 14:07:00