Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm typ., STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。\n\n 产品的通态电阻极低，可减小内部电容和栅极电荷，从而实现更加快速、高效的开关切换。 • MSL1级 \n• 175 °C工作温度 \n• 经过100％雪崩测试;

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意法半导体

丝印：320N4LF8；Package：PowerFLAT5x6；N-channel enhancement mode logic level 40 V, 0.8 mΩ max., 360 A, STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

Features MSL1 grade 175 °C operating temperature 100 avalanche tested Applications Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. ensures very low on-state resistance while reducing internal c

文件：617.14 Kbytes 页数：16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Package：8-PowerDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

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