STL320N4LF8中文资料Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm typ., STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package数据手册ST规格书

描述 Description

N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。

产品的通态电阻极低，可减小内部电容和栅极电荷，从而实现更加快速、高效的开关切换。

特性 Features

• MSL1级
• 175 °C工作温度
• 经过100％雪崩测试

简介

STL320N4LF8属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STL320N4LF8晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。