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STL320N4LF8分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STL320N4LF8 |
| 参数属性 | STL320N4LF8 封装/外壳为8-PowerDFN；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V |
| 功能描述 | N-channel enhancement mode logic level 40 V, 0.8 mΩ max., 360 A, STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PowerFLAT5x6 / 8-PowerDFN |
| 文件大小 |
617.14 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 9:24:00 |
| 人工找货 | STL320N4LF8价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STL320N4LF8规格书详情
STL320N4LF8属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STL320N4LF8晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
特性 Features
MSL1 grade
175 °C operating temperature
100 avalanche tested
Applications
Switching applications
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F8 technology featuring an
enhanced trench gate structure.
ensures very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate
charge for faster and more efficient switching.
产品属性
更多- 产品编号：
STL320N4LF8
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
管件
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PowerFlat™（5x6）
- 封装/外壳：
8-PowerDFN
- 描述：
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
12820 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
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ST |
23+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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