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STL3N65M2	文件：318.61 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 650 V, 1.6 typ., 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 HV package Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(Coss)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL3N65M2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道650 V、1.6 Ohm典型值、2.3 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3 HV封装; • Extremely low gate charge \n• Excellent output capacitance (Coss) profile \n• 100% avalanche tested \n• Zener-protected; This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters. \n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DFN5X6	STMSin Sheng Terminal & Machine Inc 信盛信盛精工股份有限公司相关企业：深圳市金芯世纪电子有限公司	STM
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST DFN5X6	ST 相关企业：深圳诚思涵科技有限公司	ST
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DFN5X6	STMSin Sheng Terminal & Machine Inc 信盛信盛精工股份有限公司相关企业：深圳市远进半导体有限公司	STM

技术参数

Package：
PowerFLAT 3.3x3.3 HV
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
650
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
1.8
Drain Current (Dc)_max(A)：
2.3
PTOT_max(W)：
22
Qg_typ(nC)：
5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
易创佳业科技（深圳）有限公司	STL3N65M2	STM	23+	PowerFLAT-8 [3.30 x 3.30 x 1.0	3000	原装现货支持送检	询价
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更多STL3N65M2供应商更新时间2025-6-24 13:14:00

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