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丝印:200N45F7;Package:PowerFLAT;N-channel 45 V, 1.4 mΩ typ., 120 A STripFET ™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package Features Among the lowest RDS(on) on the market Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench 文件:892.51 Kbytes 页数:14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-9-11 12:07:00
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