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STL12N3LLH5	文件：453.1 Kbytes Page：11 Pages	N-channel 30 V, 0.0079 廓, 12 A, PowerFLAT??(3.3 x 3.3) STripFET??V Power MOSFET Description TheSTL12N3LLH5isa30VN-channel STripFET™V.ThisPowerMOSFETtechnologyis amongthelatestimprovements,whichhavebeen especiallytailoredtoachieveverylowon-state resistanceprovidingalsooneofthebest-in-class figureofmerit(FOM). Features ■RDS(on)*Qgi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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STL12N3LLH5

文件：453.1 Kbytes

Page：11 Pages

N-channel 30 V, 0.0079 廓, 12 A, PowerFLAT??(3.3 x 3.3) STripFET??V Power MOSFET

Description TheSTL12N3LLH5isa30VN-channel STripFET™V.ThisPowerMOSFETtechnologyis amongthelatestimprovements,whichhavebeen especiallytailoredtoachieveverylowon-state resistanceprovidingalsooneofthebest-in-class figureofmerit(FOM). Features ■RDS(on)*Qgi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STS12N3LLH5

文件：532.2 Kbytes

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ThisdeviceisanN-channelPower

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STS12N3LLH5

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N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

详细参数

型号：
STL12N3LLH5
功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 0.0079 Ohm 12A STripFET V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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