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STL6N2VH5	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) V功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装; • Very low switching gate charge \n• Very low thermal resistance \n• Conduction losses reduced \n• Switching losses reduced \n• 2.5 V gate drive \n• Very low threshold device; This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™V technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FOM that is among the best in its class.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STL6N2VH5

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N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) V功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装; • Very low switching gate charge \n• Very low thermal resistance \n• Conduction losses reduced \n• Switching losses reduced \n• 2.5 V gate drive \n• Very low threshold device;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™V technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FOM that is among the best in its class.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STL6N2VH5

文件：501.48 Kbytes

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N-channel 20 V, 0.025 typ., 6 A STripFET V Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
PowerFLAT 2x2
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
20
RDS(on)_max(@ VCC=2.7V)(Ω)：
0.055
RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：
0.035
Drain Current (Dc)_max(A)：
6
PTOT_max(W)：
2.4
Qg_typ(nC)：
6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STL6N2VH5供应商更新时间2025-7-28 8:31:00

技术参数

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