STL6N2VH5中文资料N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) V功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装数据手册ST规格书
STL6N2VH5规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™V technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FOM that is among the best in its class.
特性 Features
• Very low switching gate charge
• Very low thermal resistance
• Conduction losses reduced
• Switching losses reduced
• 2.5 V gate drive
• Very low threshold device
技术参数
- 制造商编号
：STL6N2VH5
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 2x2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：20
- RDS(on)_max(@ VCC=2.7V)(Ω)
：0.055
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.035
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6
- PTOT_max(W)
：2.4
- Qg_typ(nC)
：6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
2025+ |
PowerFLAT2x2 |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST |
20+ |
DFN22 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
PowerFLAT-2x2-6 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 |
