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STL66DN3LLH5规格书详情
描述 Description
This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Logic level VGS(th)
• 175 °C maximum junction temperature
• Wettable flanks package
技术参数
- 制造商编号
：STL66DN3LLH5
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.079
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.065
- Drain Current (Dc)_max(A)
：20
- PTOT_max(W)
：4.7
- Qg_typ(nC)
：12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
PowerFLAT5x6 |
20300 |
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询价 | ||
STM |
15+/16+ |
DFN5x6 |
228000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
DFN |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO220 |
19772 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
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STMicroelectronics |
25+ |
8-PowerVDFN |
9350 |
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