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STL66DN3LLH5中文资料汽车级双路N沟道30 V、5.9 mOhm典型值、20 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装数据手册ST规格书
STL66DN3LLH5规格书详情
描述 Description
This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Logic level VGS(th)
• 175 °C maximum junction temperature
• Wettable flanks package
技术参数
- 制造商编号
：STL66DN3LLH5
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.079
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.065
- Drain Current (Dc)_max(A)
：20
- PTOT_max(W)
：4.7
- Qg_typ(nC)
：12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST(意法) |
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