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STL62P3LLH6中文资料P沟道30 V、0.009 Ohm典型值、62 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
STL62P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL62P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.016
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0105
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-62
- PTOT_max(W)
：100
- Qg_typ(nC)
：25
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
20735 |
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ST/意法 |
25+ |
8-PQFN |
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ST |
1416+ |
PowerFLAT 5x6 |
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ST/意法 |
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DFN56 |
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ST/意法 |
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DFN56 |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83269070邹小姐 |
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