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STL52DN4LF7AG中文资料汽车级双路N沟道40 V、9 mOhm典型值、18 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装数据手册ST规格书
STL52DN4LF7AG规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL52DN4LF7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.02
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.016
- Drain Current (Dc)_max(A)
：18
- PTOT_max(W)
：65
- Qg_typ(nC)
：8.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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ST |
25+23+ |
QFN |
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ST/意法 |
24+ |
PDFN5X6P |
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24+ |
293 |
本站库存 |
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ST |
23+ |
PowerFLAT5x |
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SST |
原厂封装 |
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ST(意法) |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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