STL4N10F7中文资料N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4.5 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装数据手册ST规格书
STL4N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STL4N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.07
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.5
- PTOT_max(W)
：2.9
- Qg_typ(nC)
：7.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT3.3x3.3 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
6130 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
2022+ |
POWERFLAT3 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
POWERFLAT3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
POWERFLAT3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
2021+ |
DFN3 |
500 |
只做原装，可提供样品 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
PowerFLAT3 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83269063邹小姐 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(3.3x3.3) |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 |
