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STL4N10F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4.5 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
STL4N10F7	文件：897.62 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode 文件：897.62 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DFN5X6	STM 信盛上传：深圳市金芯世纪电子有限公司	STM
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST DFN5X6	ST 上传：深圳诚思涵科技有限公司	ST
STL50DN6F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DFN5X6	STM 信盛上传：深圳市远进半导体有限公司	STM

技术参数

Package：
PowerFLAT 3.3x3.3
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
100
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.07
Drain Current (Dc)_max(A)：
4.5
PTOT_max(W)：
2.9
Qg_typ(nC)：
7.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STL4N10F7供应商更新时间2025-10-7 11:04:00

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