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STL40N10F7规格书详情
描述 Description
该器件是采用STripFET™ F7技术开发的N沟道功率MOSFET,具有增强型沟槽栅极结,可降低通态电阻。同时,器件还能降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STL40N10F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:PowerFLAT 5x6
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.024
- Drain Current (Dc)_max(A)
:10
- PTOT_max(W)
:5
- Qg_typ(nC)
:14
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
6925 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT5x6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
DFN56-8 |
20300 |
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询价 | ||
ST |
1948+ |
QFN |
6852 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
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STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(5x6) |
3000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 |