STL3NM60N中文资料N沟道600 V、1.5 Ohm、2.2 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 HV封装数据手册ST规格书
STL3NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STL3NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.8
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2.2
- PTOT_max(W)
：2
- Qg_typ(nC)
：9.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
3.3x3.3-HV-8 |
16900 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DFN |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
3.3x3.3-HV-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN-8 |
9600 |
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24+ |
N/A |
73000 |
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ST/意法 |
2517+ |
DFN |
8850 |
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ST/意法 |
24+ |
POWERFLAT5X6 |
3987 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DFN8 |
50000 |
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ST |
25+23+ |
DFN8 |
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询价 |
