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STL4LN80K5中文资料N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 VHV封装数据手册ST规格书
STL4LN80K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) * area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra low-gate charge
• 100 % avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STL4LN80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 VHV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2.6
- Drain Current (Dc)_max(A)
：3
- PTOT_max(W)
：20
- Qg_typ(nC)
：4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
PowerFLAT3.3x3.3 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
24+ |
POWERFLAT3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
POWERFLAT3 |
10730 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
23+ |
POWERFLAT3 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
