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STL4P3LLH6中文资料P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、4 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装数据手册ST规格书
STL4P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL4P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 2x2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.09
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.056
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-4
- PTOT_max(W)
：2.4
- Qg_typ(nC)
：6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
PowerFLAT(2x2) |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST |
23+ |
PowerFLAT2x2 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST(意法) |
25+ |
6-PowerWDFN |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
6-PowerWDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
6PowerWDFN |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
STM |
20+ |
DFN |
3675 |
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询价 |
