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STL4P3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、4 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装; • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss; This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STL4P3LLH6

文件：300 bytes

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P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、4 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装; • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n\n

STSTMicroelectronics

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STL4P3LLH6

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High avalanche ruggedness

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技术参数

Package：
PowerFLAT 2x2
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
-30
RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：
0.09
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.056
Drain Current (Dc)_max(A)：
-4
PTOT_max(W)：
2.4
Qg_typ(nC)：
6

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技术参数

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