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STT4P3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、4 A STripFET H6功率MOSFET，SOT23-6L封装 This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STT4P3LLH6	文件：440.85 Kbytes Page：12 Pages	High avalanche ruggedness 文件：440.85 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL4P3LLH6	文件：766.16 Kbytes Page：13 Pages	High avalanche ruggedness 文件：766.16 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH1002CB-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST 上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司	ST
STTH1002CT	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	ST 上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司	ST

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深圳市科恒伟业电子有限公司	STT4P3LLH6	ST	24+	SOT-23-6	8540	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
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更多STT4P3LLH6供应商更新时间2025-12-2 17:40:00