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STL50DN6F7规格书详情
描述 Description
该双N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STL50DN6F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.011
- Drain Current (Dc)_max(A)
：57
- PTOT_max(W)
：62.5
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
STM |
21+ |
DFN5X6 |
51000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+/25+ |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ST/意法 |
21+ |
DFN5X6-8 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
17148 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST |
20+ |
DFN5X6-8 |
6000 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
ST |
25+ |
QFN8 |
9000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 |
