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STL65DN3LLH5规格书详情
描述 Description
This product utilizes the 5th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. The lowest available RDS(on)*Qg, in this chip scale package, makes this device suitable for the most demanding DC-DC converter applications, where high power density is to be achieved.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• Very low switching gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
技术参数
- 型号：
STL65DN3LLH5
- 功能描述：
MOSFET Dual N-ch 30 V,19A STripFET V Pwr Mos
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
QFN |
7350 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
5249 |
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ST/意法 |
25+ |
QFN8 |
32360 |
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询价 | ||
ST |
11+ |
QFN |
6000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST |
21+ |
QFN8 |
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stm |
24+ |
QFN |
12000 |
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ST |
1948+ |
QFN |
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询价 | ||
ST/意法 |
11+ |
QFN |
6000 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
QFN8 |
11200 |
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询价 |
